基本信息:
- 专利标题： Method for improving the quality of an SiC crystal and SiC semiconductor device
- 专利标题（中）：一种用于改善SiC晶体质量的方法，以及SiC半导体装置。
- 申请号：EP06255833.3 申请日：2006-11-15
- 公开(公告)号：EP1883102B1 公开(公告)日：2013-10-02
- 发明人： Tsuchida, Hidekazu Materials Science Research Lab. , Storasta, Liutauras Materials Science Res. Lab.
- 申请人： Central Research Institute of Electric Power Industry
- 申请人地址： 6-1, Otemachi 1-Chome, Chiyoda-ku Tokyo 100-8126 JP
- 专利权人： Central Research Institute of Electric Power Industry
- 当前专利权人： Central Research Institute of Electric Power Industry
- 当前专利权人地址： 6-1, Otemachi 1-Chome, Chiyoda-ku Tokyo 100-8126 JP
- 代理机构： Hall, Matthew Benjamin
- 优先权： JP2006206953 20060728; JP2006237996 20060901
- 主分类号： H01L21/04
- IPC分类号： H01L21/04 ; H01L21/265 ; H01L29/24 ; H01L21/322 ; H01L29/732 ; H01L29/74 ; H01L29/861 ; H01L29/739
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/04 | ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层 |