基本信息:
- 专利标题： Integrated passive device substrate
- 专利标题（中）：底层被动Bauelemente
- 申请号：EP07250982.1 申请日：2007-03-09
- 公开(公告)号：EP1835536A2 公开(公告)日：2007-09-19
- 发明人： Degani, Yinon , Fan, Yu , Gao, Charley Chunlei , Lau, Maureen , Sun, Kunquan , Sun, Linguo
- 申请人： SYCHIP INC.
- 申请人地址： 2805 N. Dallas Parkway Suite 400 Plano, Texas 75093 US
- 专利权人： SYCHIP INC.
- 当前专利权人： SYCHIP INC.
- 当前专利权人地址： 2805 N. Dallas Parkway Suite 400 Plano, Texas 75093 US
- 代理机构： Williams, David John
- 优先权： US378106 20060317
- 主分类号： H01L21/84
- IPC分类号： H01L21/84 ; H01L27/01 ; H01L27/13 ; H01L21/70 ; H01L21/762 ; H01L23/66 ; H01L27/06
摘要：
The specification describes an integrated passive device (IPD) that is formed on a silicon substrate (51) covered with an oxide layer (52). Unwanted accumulated charge at the silicon/oxide interface are rendered immobile by creating trapping centers in the silicon surface. The trapping centers are produced by a polysilicon layer interposed between the silicon substrate and the oxide layer.
摘要（中）：
本说明书描述了形成在被氧化物层（52）覆盖的硅衬底（51）上的集成无源器件（IPD）。 在硅/氧化物界面处的不需要的积累电荷通过在硅表面中产生捕获中心而被固定。 捕获中心由介于硅衬底和氧化物层之间的多晶硅层产生。
公开/授权文献:
- EP1835536A3 Integrated passive device substrate 公开/授权日：2010-07-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/84 | .....衬底不是半导体的，例如绝缘体 |