基本信息:
- 专利标题： METHOD OF FORMING A TRANSISTOR HAVING A DUAL LAYER DIELECTRIC
- 专利标题（中）：法形成晶体管，双层介
- 申请号：EP05801056.2 申请日：2005-09-21
- 公开(公告)号：EP1815528A1 公开(公告)日：2007-08-08
- 发明人： HOFFMAN, Randy , MARDILOVICH, Peter
- 申请人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 申请人地址： 20555 S.H. 249 Houston, TX 77070 US
- 专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人： Hewlett-Packard Development Company, L.P.
- 当前专利权人地址： 20555 S.H. 249 Houston, TX 77070 US
- 代理机构： Jackson, Richard Eric
- 优先权： US971336 20041022
- 国际公布： WO2006047024 20060504
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/49 ; H01L21/336 ; H01L21/445
摘要：
Embodiments of methods, apparatuses, components, and/or systems for forming a transistor (100) having a dual layer dielectric (108,110) are described.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |