基本信息:
- 专利标题： Method of etching using a sacrificial substrate
- 专利标题（中）：利用牺牲衬底的刻蚀
- 申请号：EP05851235.1 申请日：2005-10-21
- 公开(公告)号：EP1814817B1 公开(公告)日：2011-03-23
- 发明人： BIRKMEYER, Jeffrey , DEMING, Stephen, R.
- 申请人： Fujifilm Dimatix, Inc.
- 申请人地址： 109 Etna Road Lebanon, NH 03766 US
- 专利权人： Fujifilm Dimatix, Inc.
- 当前专利权人： Fujifilm Dimatix, Inc.
- 当前专利权人地址： 109 Etna Road Lebanon, NH 03766 US
- 代理机构： Lang, Johannes
- 优先权： US621507P 20041021
- 国际公布： WO2006047326 20060504
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; B28D5/00 ; H01L21/762
摘要：
A method of etching a silicon substrate is described. The method includes bonding a first silicon substrate (200) to a sacrificial silicon substrate (240, 241). The first silicon substrate (200) is etched. A pressure is applied at an interface of the first silicon substrate (200) and the sacrificial silicon substrate (240, 241) to cause the first silicon substrate (200) to separate from the sacrificial silicon substrate (240, 241). An apparatus having metal blades (620) can be used to separate the substrates.
公开/授权文献:
- EP1814817A1 SACRIFICIAL SUBSTRATE FOR ETCHING 公开/授权日：2007-08-08
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |