基本信息:
- 专利标题： PHOTONIC DEVICES MONOLITHICALLY INTEGRATED WITH CMOS
- 专利标题（中）：单片集成与CMOS光子元件
- 申请号：EP05768673.5 申请日：2005-07-28
- 公开(公告)号：EP1782481A1 公开(公告)日：2007-05-09
- 发明人： AUGUSTO, Carlos, J., R., P.
- 申请人： Quantum Semiconductor, LLC
- 申请人地址： 4320 Stevens Creek Blvd., Suite 212 San Jose, CA 95129 US
- 专利权人： Quantum Semiconductor, LLC
- 当前专利权人： Quantum Semiconductor, LLC
- 当前专利权人地址： 4320 Stevens Creek Blvd., Suite 212 San Jose, CA 95129 US
- 代理机构： Vanderperre, Robert
- 优先权： US591658P 20040728
- 国际公布： WO2006010618 20060202
- 主分类号： H01L27/15
- IPC分类号： H01L27/15 ; H01L27/144 ; H01L33/00 ; H01L31/107 ; H01L31/0352 ; H01L31/103 ; H01L31/028
摘要：
Photonic devices monolithically integrated with CMOS are disclosed, including sub-100nm CMOS, with active layers comprising acceleration regions, light emission and absorption layers, and optional energy filtering regions. Light emission or absorption is controlled by an applied voltage to deposited films on a pre-defined CMOS active area of a substrate, such as bulk Si, bulk Ge, Thick-Film SOI, Thin-Film SOI, Thin-Film GOI.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/15 | .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件 |