发明公开
EP1770788A3 Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：Halbleiterbauelement mit Oxidhalbleiterschicht undzugehörigesHerstellungsverfahren
- 申请号：EP06019112.9 申请日：2006-09-12
- 公开(公告)号：EP1770788A3 公开(公告)日：2011-09-21
- 发明人： Akimoto, Kengo , Honda, Tatsuya , Sone, Norihito
- 申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 申请人地址： 398 Hase Atsugi-shi, Kanagawa-ken 243-0036 JP
- 专利权人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 398 Hase Atsugi-shi, Kanagawa-ken 243-0036 JP
- 代理机构： Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät
- 优先权： JP2005283782 20050929
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/77
摘要：
An object is to provide a semiconductor device of which a manufacturing process is not complicated and by which cost can be suppressed, by forming a thin film transistor using an oxide semiconductor film typified by zinc oxide, and a manufacturing method thereof. For the semiconductor device, a gate electrode is formed over a substrate; a gate insulating film is formed covering the gate electrode; an oxide semiconductor film is formed over the gate insulating film; and a first conductive film and a second conductive film are formed over the oxide semiconductor film. The oxide semiconductor film has at least a crystallized region in a channel region.
摘要（中）：
本发明的目的是提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的制造工艺不复杂，可以通过以氧化锌为代表的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管来降低成本。 对于半导体器件，在基板上形成栅电极; 形成覆盖栅电极的栅极绝缘膜; 在栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜; 并且在所述氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜。 氧化物半导体膜在沟道区域中至少具有结晶化区域。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |