
基本信息:
- 专利标题: Optical semiconductor devices on InP substrate
- 专利标题(中):在InP衬底上的半导体光学器件
- 申请号:EP06016562.8 申请日:2006-08-08
- 公开(公告)号:EP1760850B1 公开(公告)日:2013-05-22
- 发明人: Kishino, Katsumi , Nomura, Ichiro , Tamamura, Koshi , Nakamura, Hitoshi c/o Hitachi, Ltd.
- 申请人: Sophia School Corporation , Sony Corporation , Hitachi, Ltd.
- 申请人地址: 7-1, Kioityo Chiyoda-ku Tokyo JP
- 专利权人: Sophia School Corporation,Sony Corporation,Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人: Sophia School Corporation,Sony Corporation,Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址: 7-1, Kioityo Chiyoda-ku Tokyo JP
- 代理机构: Strehl Schübel-Hopf & Partner
- 优先权: JP2005256566 20050905
- 主分类号: H01S5/347
- IPC分类号: H01S5/347 ; H01S5/32 ; H01S5/327 ; H01L31/0352 ; H01L33/00
公开/授权文献:
- EP1760850A3 Optical semiconductor devices on InP substrate 公开/授权日:2009-05-06
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01S | 利用受激发射的器件 |
------H01S5/00 | 半导体激光器 |
--------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
----------H01S5/32 | ..含有PN结的,例如异结的或双异质结的结构 |
------------H01S5/347 | ...用AⅡBⅥ族化合物材料的,例如ZnCdSe-激光器 |