基本信息:
- 专利标题： APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION
- 专利标题（中）：用于原子层沉积的装置和方法
- 申请号：EP05760813.5 申请日：2005-05-12
- 公开(公告)号：EP1745159A2 公开(公告)日：2007-01-24
- 发明人： MYO, Nyi Oo , CHOI, Kenric , KHER, Shreyas , NARWANKAR, Pravin , POPPE, Steve , METZNER, Craig R. , DEATEN, Paul
- 申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 申请人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 US
- 专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人地址： 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 US
- 代理机构： Bayliss, Geoffrey Cyril
- 优先权： US570173P 20040512
- 国际公布： WO2005113852 20051201
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00
摘要：
Embodiments of the invention provide apparatuses and methods for depositing materials on substrates during vapor deposition processes, such as atomic layer deposition (ALD) . In one embodiment, a chamber contains a chamber lid (832) containing an expanding channel (834) formed within a thermally insulating material (838) either directly within the chamber lid or formed within a funnel liner attached thereon. The chamber further includes at least one conduit (841 a-d) coupled to a gas inlet within the expanding channel and positioned to provide a gas flow in a circular direction, such as a vortex, a helix or a spiral. The chamber may contain a retaining ring (819), an upper process liner (822), a lower process liner (824) or a slip valve liner (826) . Liners usually have a polished surface finish and contain a thermally insulating material such as fused quartz or ceramic. In an alternative embodiment, a deposition system contains a catalytic water vapor generator connected to an ALD chamber.
摘要（中）：
本发明的实施例提供了用于在诸如原子层沉积（ALD）的气相沉积工艺期间在基板上沉积材料的装置和方法。 在一个实施例中，腔室包含腔室盖（832），腔室盖（832）包含形成于绝热材料（838）内的膨胀通道（834），所述膨胀通道直接位于腔室盖内或形成于附接于其上的漏斗衬里内。 腔室还包括至少一个导管（841a-d），其耦合到膨胀通道内的气体入口并且被定位成提供沿圆形方向（例如涡流，螺旋或螺旋）的气流。 腔室可以包含保持环（819），上部处理衬里（822），下部处理衬里（824）或滑阀衬里（826）。 内衬通常具有抛光的表面光洁度并且包含诸如熔融石英或陶瓷的绝热材料。 在替代实施例中，沉积系统包含连接到ALD室的催化水蒸汽发生器。