发明公开
EP1622742A4 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITIONS FOR STEP-II COPPER LINER AND OTHER ASSOCIATED MATERIALS AND METHOD OF USING SAME
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： CHEMICAL MECHANICAL POLISHING COMPOSITIONS FOR STEP-II COPPER LINER AND OTHER ASSOCIATED MATERIALS AND METHOD OF USING SAME
- 专利标题（中）：对于步骤二铜套等其他相关材料CMP组合物及其使用方法
- 申请号：EP04751836 申请日：2004-05-10
- 公开(公告)号：EP1622742A4 公开(公告)日：2009-06-10
- 发明人： WRSCHKA PETER , BERNHARD DAVID , BOGGS KARL , DARSILLO MICHAEL
- 申请人： ADVANCED TECH MATERIALS
- 专利权人： ADVANCED TECH MATERIALS
- 当前专利权人： ADVANCED TECH MATERIALS
- 优先权： US46968303 2003-05-12
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; C09G1/02 ; C09K3/14 ; H01L21/321 ; H01L21/461
摘要：
A CMP composition and process for planarization of a semiconductor wafer surface having a copper barrier layer portion, said composition comprising an oxidizing agent, a boric acid component, and an abrasive.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |