基本信息:
- 专利标题： Phase change Information recording medium and method for producing the same
- 专利标题（中）：选择Phasenübergangsaufzeichnungsmedium和Herstellungsverfahren
- 申请号：EP04254412.2 申请日：2004-07-23
- 公开(公告)号：EP1501090A1 公开(公告)日：2005-01-26
- 发明人： Kojima, Rie , Doi, Yukako , Yamada, Noboru
- 申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 申请人地址： 1006, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 JP
- 专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 1006, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 JP
- 代理机构： Jeffrey, Philip Michael
- 优先权： JP2003279265 20030724
- 主分类号： G11B7/24
- IPC分类号： G11B7/24
摘要：
The information recording medium of the present invention comprises at least one of the following oxide-based material layers: (I) an oxide-based material layer containing Zr, at least one element selected from the group GL1 consisting of La, Ga and In, and oxygen (O); (II) an oxide-based material layer containing M1 (where M1 is a mixture of Zr and Hf, or Hf), at least one element selected from the group GL2 consisting of La, Ce, Al, Ga, In, Mg and Y, and O; (III) an oxide-based material layer containing at least one element selected from the group GM2 consisting of Zr and Hf, at least one element selected from the group GL2, Si, and O; and (IV) an oxide-based material layer containing at least one element selected from the group GM2, at least one element selected from the group GL2, Cr, and O. This oxide-based material layer can be used, for example, as a dielectric layer (2, 6).
摘要（中）：
本发明的信息记录介质包括以下氧化物基材料层中的至少一种：（I）含有Zr的氧化物基材料层，选自由La，Ga和In组成的组GL1中的至少一种元素， 和氧（O）; （II）含有M1（其中M1是Zr和Hf的混合物或Hf）的氧化物基材料层，选自由La，Ce，Al，Ga，In，Mg和Y组成的组GL2中的至少一种元素 ，和O; （III）含有选自由Zr和Hf组成的组GM2中的至少一种元素的氧化物基材料层，选自GL2，Si和O的至少一种元素; 和（IV）含有选自组GM2，选自组GL2，Cr和O中的至少一种元素的至少一种元素的氧化物基材料层。该氧化物基材料层可以用于例如 介电层（2,6）。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11B | 基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储 |
| ------G11B7/00 | 用光学方法，例如，用光辐射的热射束记录用低功率光束重现的；为此所用的记录载体 |
| --------G11B7/24 | .按所选用的材料或按结构或按形式区分的记录载体 |