基本信息:
- 专利标题： Semiconductor memory device and control method therefor
- 专利标题（中）：半导体存储器及其控制方法
- 申请号：EP03016890.0 申请日：2003-07-24
- 公开(公告)号：EP1388865B1 公开(公告)日：2013-08-28
- 发明人： Nakagawa, Yuji
- 申请人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 申请人地址： 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 专利权人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人： Fujitsu Semiconductor Limited
- 当前专利权人地址： 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 JP
- 代理机构： Seeger · Seeger · Lindner Partnerschaft Patentanwälte
- 优先权： JP2002231644 20020808
- 主分类号： G11C11/406
- IPC分类号： G11C11/406 ; G11C29/50
公开/授权文献:
- EP1388865A3 Semiconductor memory device and control method therefor 公开/授权日：2004-03-31
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/406 | .....刷新或电荷再生周期的管理或控制 |