基本信息:
- 专利标题： VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ERZEUGEN VON PROZESSGASEN
- 专利标题（英）：Method and device for the production of process gases
- 专利标题（中）：方法和设备进行用于产生工艺气体
- 申请号：EP02764065.5 申请日：2002-04-19
- 公开(公告)号：EP1382063A1 公开(公告)日：2004-01-21
- 发明人： ROTERS, Georg , MADER, Roland , SOMMER, Helmut , ERLIKH, Genrih , PASHUT, Yehuda
- 申请人： Mattson Thermal Products GmbH
- 申请人地址： Daimlerstrasse 10 89160 Dornstadt DE
- 专利权人： Mattson Thermal Products GmbH
- 当前专利权人： Mattson Thermal Products GmbH
- 当前专利权人地址： Daimlerstrasse 10 89160 Dornstadt DE
- 代理机构： Wagner & Geyer
- 优先权： DE10119741 20010423
- 国际公布： WO2002086958 20021031
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316
摘要：
The aim of the invention is the simple and economical production of a hydrogen-rich process gas from water vapour and hydrogen, whereby the proportion of water vapour to hydrogen may be precisely controllable and reproducible. Said aim is achieved, with a method and device for the production of a process gas for the treatment of substrates, in particular semiconductor substrates, in which the oxygen for formation of a process gas, comprising water vapour and hydrogen, is burnt in a hydrogen-rich environment in a combustion chamber.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |