基本信息:

• 专利标题： Semiconductor switch including isolated MOS-transistors
• 专利标题（中）：Halbleiterschalter mit isolierten MOS-Transistoren
• 申请号：EP03090167.2 申请日：2003-05-30
• 公开(公告)号：EP1367717A1 公开(公告)日：2003-12-03
• 发明人： Okashita, Tomonori, c/o NEC Compound
• 申请人： NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
• 申请人地址： 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa JP
• 专利权人： NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
• 当前专利权人： NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
• 当前专利权人地址： 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa JP
• 代理机构： Patentanwälte Wenzel & Kalkoff
• 优先权： JP2002156602 20020530
• 主分类号： H03K17/693
• IPC分类号： H03K17/693

摘要：

In a semiconductor switch apparatus including an input terminal (IN), an output terminal (OUT1), an AC ground terminal (AC-GND), a DC ground terminal (DC-GND), at least one series MOS transistor (1, 1') connected between the input terminal and the output terminal, and at least one shunt MOS transistor (2, 2') connected between one of the input terminal and the output terminal and the AC ground terminal, the series MOS transistor is formed within a first region of a semiconductor layer on a silicon-on-insulator configuration surrounded by a first trench insulating layer (T1), and the shunt MOS transistor is formed within a second region of the semiconductor layer surrounded by a second trench insulating layer (T2).

摘要（中）：

在包括输入端子（IN），输出端子（OUT1），AC接地端子（AC-GND），DC接地端子（DC-GND），至少一个串联MOS晶体管（1,1） '）连接在输入端子和输出端子之间，以及至少一个分流MOS晶体管（2,2'），其连接在输入端子和输出端子之一和AC接地端子之间，串联MOS晶体管形成在 由第一沟槽绝缘层（T1）包围的绝缘体上硅结构上的半导体层的第一区域，并且分流MOS晶体管形成在由第二沟槽绝缘层（T2）包围的半导体层的第二区域内， 。

公开/授权文献:

• EP1367717B1  Semiconductor switch including isolated MOS-transistors 公开/授权日：2005-12-21

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