基本信息:

• 专利标题： Optical information recording medium and recording method using the same
• 专利标题（中）：光记录介质和记录方法，所使用的所述介质
• 申请号：EP02254705.3 申请日：2002-07-04
• 公开(公告)号：EP1276105A2 公开(公告)日：2003-01-15
• 发明人： Kitaura, Hideki , Yamada, Noboru
• 申请人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
• 申请人地址： 1006-banchi, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka-fu, 571-8501 JP
• 专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
• 当前专利权人： Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
• 当前专利权人地址： 1006-banchi, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka-fu, 571-8501 JP
• 代理机构： Jeffrey, Philip Michael
• 优先权： JP2001211824 20010712
• 主分类号： G11B7/24
• IPC分类号： G11B7/24

摘要：

An optical information recording medium (10) of the present invention includes a first substrate (11), a second substrate (12) placed in parallel with the first substrate (11), and an information layer (20) placed between the first substrate (11) and the second substrate (12), wherein the information layer (20) includes a recording layer (22) and a dielectric layer (lower dielectric layer (21)/upper dielectric layer (23)) placed so that a distance from the dielectric layer to the recording layer (22) is 20 nm or less. The recording layer (22) is changed between at least two different states that can be identified optically by irradiation of a laser beam (14) incident from the first substrate (11) side, and the dielectric layer contains ZnS and Si as main components.

摘要（中）：

的本发明的光学信息记录介质（10）的衬底包括：第一（11），在平行地放置与所述第一基板之间设置在第一基片（11），并在信息层（20）的第二基片（12）（ 11）和所述第二基片（12），其中所述信息层（20）包括：记录层（22）和介电层（下部介电层（21）/上电介质层（23））配置成从所述那样的距离 电介质层向记录层（22）为20纳米或更小。 记录层（22）之间的至少两个不同的状态也可以光学用激光束从所述第一基片（11）侧（14）入射的照射来鉴定改变，并且电介质层含有ZnS和Si作为主要组成部分。

公开/授权文献:

• EP1276105B1  Optical information recording medium and recording method using the same 公开/授权日：2005-09-28

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