基本信息:
- 专利标题： RAPID RAMPING ANNEAL METHOD FOR FABRICATING SUPERLATTICE MATERIALS
- 专利标题（中）：用于生产材料网格结构BYSCHNELLRAMPGLÜHEN
- 申请号：EP01908955.6 申请日：2001-02-07
- 公开(公告)号：EP1224699A1 公开(公告)日：2002-07-24
- 发明人： UCHIYAMA, Kiyoshi , ARITA, Koji , SOLAYAPPAN, Narayan , PAZ DE ARAUJO, Carlos, A.
- 申请人： SYMETRIX CORPORATION , MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 申请人地址： 5055 Mark Dabling Boulevard Colorado Springs, CO 80918 US
- 专利权人： SYMETRIX CORPORATION,MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： SYMETRIX CORPORATION,MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 5055 Mark Dabling Boulevard Colorado Springs, CO 80918 US
- 代理机构： Schoppe, Fritz, Dipl.-Ing.
- 优先权： US523919 20000309
- 国际公布： WO0167516 20010913
- 主分类号： H01L27/11
- IPC分类号： H01L27/11 ; C30B29/68
摘要：
A liquid precursor for forming a layered superlattice material is applied to an integrated circuit substrate. The precursor coating is annealed in oxygen using a rapid ramping anneal ("RRA") technique with a ramping rate of 50° C./second at a hold temperature of 650° C. for a holding time of 30 minutes.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/11 | .....静态随机存取存储结构的 |