基本信息:

• 专利标题： Dielektrische Füllung von elektrischen Verdrahtungsebenen
• 专利标题（英）：Dielectric filling of electrical wiring levels
• 专利标题（中）：电线水平的电​​介质填充物
• 申请号：EP00126887.9 申请日：2000-12-07
• 公开(公告)号：EP1109220A2 公开(公告)日：2001-06-20
• 发明人： Kirchhoff, Markus, Dr. , Rogalli, Michael, Dr. , Wege, Stephan
• 申请人： Infineon Technologies AG
• 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
• 专利权人： Infineon Technologies AG
• 当前专利权人： Infineon Technologies AG
• 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
• 代理机构： Fischer, Volker, Dipl.-Ing.
• 优先权： DE19961103 19991217
• 主分类号： H01L23/532
• IPC分类号： H01L23/532

摘要：

Die vorliegende Erfindung betrifft eine dielektrische Füllung für elektrische Verdrahtungsebenen eines integrierten Schaltkreises. Die elektrische Verdrahtung des integrierten Schaltkreises umfaßt einen Grundkörper (1), auf dem bereits Leitungs- und Passivierungsebenen angeordnet sein können; eine leitfähige Schicht (2), die auf dem Grundkörper (1) angeordnet ist und so strukturiert ist, daß sie eine erste Leiterbahn (3), eine zweite Leiterbahn (4) und einen Graben (5) zwischen der ersten Leiterbahn (3) und der zweiten Leiterbahn (4) aufweist; eine erste dielektrische Schicht (6) auf der leitfähigen Schicht (2) angeordnet ist und den Graben (5) zumindest teilweise auffüllt, wobei es sich bei der ersten dielektrischen Schicht (6) um den Polymerwerkstoff Polybenzoxazol handelt.

摘要（中）：

本发明涉及用于集成电路的电布线级的电介质填充。 该集成电路的电布线包括基体（1）可以被设置在线路和已经Passivierungsebenen; （2）形成的导电层上的基体（1）布置，并且被构造为使得其包括第一导体轨道（3），第二导体轨道（4）和第一导体轨道之间的沟槽（5）（3）和 所述第二导体（4）; 所述导电层（2）和沟槽（5）至少部分地填充，其中，所述第一电介质层（6）是聚合物材料的聚苯并恶唑在第一电介质层（6）。

公开/授权文献:

• EP1109220A3  Dielektrische Füllung von elektrischen Verdrahtungsebenen 公开/授权日：2003-12-17

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