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EP0987346A1 Copper deposition method using a precursor with (alkyloxy) (alkyl)silylolefin ligands
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基本信息:
- 专利标题： Copper deposition method using a precursor with (alkyloxy) (alkyl)silylolefin ligands
- 专利标题（中）：Verfahren zur Kupferabscheidung mittels einer（Alkyloxy）（Alkyl）Silylolefin-Liganden enthaltendenVorläuferverbindung
- 申请号：EP99302806.7 申请日：1999-04-12
- 公开(公告)号：EP0987346A1 公开(公告)日：2000-03-22
- 发明人： Senzaki, Yoshihide , Kobayashi, Masato , Charneski, Lawrence J. , Nguyen, Tue
- 申请人： Sharp Kabushiki Kaisha , SHARP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY, INC.
- 申请人地址： 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 JP
- 专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha,SHARP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人： Sharp Kabushiki Kaisha,SHARP MICROELECTRONICS TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人地址： 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 JP
- 代理机构： West, Alan Harry
- 优先权： US153806 19980915
- 主分类号： C23C16/18
- IPC分类号： C23C16/18 ; C07F7/18
摘要：
Chemical vapor deposition (CVD) of copper (Cu) to integrated circuit substrates uses as Cu precursor a Cu(hfac)(ligand) including a silylolefin ligand including combinations of C1-C8 alkyl groups with at least one C2-C8 alkyloxy group, combinations of ethyl and ethoxy groups being preferred. The alkyloxy oxygens and the long carbon chains of the alkyl and alkyloxy groups increase precursor stability by contributing electrons to the Cu(hfac) complex to assist ligand separation from the complex at consistent temperatures. Selection of alkyloxy and alkyl groups enables precursor volatility to be adjusted to specific process scenarios.
摘要（中）：
铜（Cu）到集成电路基板的化学气相沉积（CVD）用作Cu前体Cu（hfac）（配体），其包括含有C 1 -C 8烷基与至少一个C 2 -C 8烷氧基的组合的硅单元配体配体，组合 的乙基和乙氧基是优选的。 烷基和烷氧基的烷氧基氧和长碳链通过向Cu（hfac）络合物贡献电子来增加前体的稳定性，以辅助配体在一致的温度下与络合物分离。 选择烷氧基和烷基可使前体挥发性调整到具体的工艺情况。