基本信息:
- 专利标题： Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes
- 专利标题（英）：Method for manufacturing a power semiconductor device
- 专利标题（中）：一种用于制造功率半导体组件的方法
- 申请号：EP98124404.9 申请日：1998-12-21
- 公开(公告)号：EP0933807A2 公开(公告)日：1999-08-04
- 发明人： Reznik, Daniel, Dr. , Schulze, Hans-Joachim, Dr. , Wolfgang, Eckhard
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 优先权： DE19804192 19980203
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L21/332
摘要：
Bauelementstrukturen zum Beispiel von IGBTs werden auf den Oberseiten zweier Substrate (1) hergestellt, die Substrate werden von der Rückseite (4) her gedünnt, und die Rückseiten der gedünnten Substrate werden nach dem Polieren durch Wafer-Bonding dauerhaft elektrisch leitend miteinander verbunden.
摘要（中）：
部件的结构，例如，是在两个基板（1）的顶侧产生的IGBT，所述基片从背衬（4）减薄的衬底的所述和背面接合抛光之后通过晶片键合永久性地导电地彼此变薄。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |