基本信息:
- 专利标题： Process of final passivation of an integrated circuit device
- 专利标题（中）：Verfahren der Endpassivierung einer IC-Anordnung
- 申请号：EP97830174.5 申请日：1997-04-15
- 公开(公告)号：EP0872879A1 公开(公告)日：1998-10-21
- 发明人： De Santi, Giorgio , Zanotti, Luca
- 申请人： STMicroelectronics S.r.l.
- 申请人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 专利权人： STMicroelectronics S.r.l.
- 当前专利权人： STMicroelectronics S.r.l.
- 当前专利权人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 代理机构： Mittler, Enrico
- 主分类号： H01L21/314
- IPC分类号： H01L21/314 ; H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L23/31
摘要：
A process for forming a final passivation layer over an integrated circuit comprises a step of forming, over a surface of the integrated circuit, a protective film by means of High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition.
摘要（中）：
用于在集成电路上形成最终钝化层的工艺包括通过高密度等离子体化学气相沉积在集成电路的表面上形成保护膜的步骤。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |