基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device having a semiconductor film of low oxygen concentration
- 专利标题（中）：Halbleiteranordnung die eine mit niedriger Oxygenkonzentration-Halbleiterschichtenthält。
- 申请号：EP93109060.9 申请日：1993-06-04
- 公开(公告)号：EP0573921A2 公开(公告)日：1993-12-15
- 发明人： Saito, Yutaka
- 申请人： SEIKO INSTRUMENTS INC.
- 申请人地址： 31-1, Kameido 6-chome Koto-ku Tokyo 136 JP
- 专利权人： SEIKO INSTRUMENTS INC.
- 当前专利权人： SEIKO INSTRUMENTS INC.
- 当前专利权人地址： 31-1, Kameido 6-chome Koto-ku Tokyo 136 JP
- 代理机构： Fleuchaus, Leo, Dipl.-Ing.
- 优先权： JP153722/92 19920612
- 主分类号： H01L29/16
- IPC分类号： H01L29/16
摘要：
A semiconductor device is provided wherein carrier flows in a monocrystal silicon film having low oxygen concentration. As for a structure of the semiconductor device, a single semiconductor element or a plurality of semiconductor elements are provided on the monocrystal silicon film having low oxygen concentration which is provided on a backing substrate of which at least the surface is made of an insulating material. The backing substrate is provided so that the semiconductor device gets mechanical destructive strength. The insulating material is provided so that some particles never transfers from the backing substrate to the semiconductor film. The silicon film has low oxygen concentration so that the lifetime of a minor carrier lengthens.
摘要（中）：
提供了一种半导体器件，其中载体在具有低氧浓度的单晶硅膜中流动。 对于半导体器件的结构，在具有低氧浓度的单晶硅膜上设置单个半导体元件或多个半导体元件，其设置在至少表面由绝缘材料制成的背衬基板上。 提供背衬基板，使得半导体器件获得机械破坏强度。 提供绝缘材料，使得一些颗粒不会从背衬基板转移到半导体膜。 硅膜具有低氧浓度，使得次载体的寿命延长。