EP0450389B1 A low-capacitance, high breakdown voltage programmed cell structure for read-only memory circuits
失效
基本信息:
- 专利标题： A low-capacitance, high breakdown voltage programmed cell structure for read-only memory circuits
- 专利标题（中）：具有低电容和高击穿电压的泡孔结构编程的只读存储器电路。
- 申请号：EP91104217.4 申请日：1991-03-19
- 公开(公告)号：EP0450389B1 公开(公告)日：1995-09-13
- 发明人： Ginami, Giancarlo , Laurin, Enrico , Lucherini, Silvia , Vajana, Bruno
- 申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
- 申请人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 专利权人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
- 当前专利权人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
- 当前专利权人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 代理机构： Perani, Aurelio
- 优先权： IT1990390 19900330
- 主分类号： G11C17/12
- IPC分类号： G11C17/12 ; H01L27/112
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C17/00 | 只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的 |
| --------G11C17/08 | .应用半导体器件的，例如，双极性元件 |
| ----------G11C17/10 | ..在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存储内容的，例如掩膜式可编程序的ROM |
| ------------G11C17/12 | ...应用场效应器件的 |