基本信息:
- 专利标题： Non-saturated current semiconductor device having two current paths
- 专利标题（中）：具有两个电流条件的非饱和电流半导体器件
- 申请号：EP86308406.7 申请日：1986-10-29
- 公开(公告)号：EP0225716B1 公开(公告)日：1992-07-08
- 发明人： Barsony, Istvan
- 申请人： Research Development Corporation of Japan , Barsony, Istvan
- 申请人地址： 5-2, Nagatacho 2-chome Chiyoda-ku Tokyo JP
- 专利权人： Research Development Corporation of Japan,Barsony, Istvan
- 当前专利权人： Research Development Corporation of Japan,Barsony, Istvan
- 当前专利权人地址： 5-2, Nagatacho 2-chome Chiyoda-ku Tokyo JP
- 代理机构： Read, Matthew Charles
- 优先权： JP244091/85 19851101
- 主分类号： H01L29/76
- IPC分类号： H01L29/76