基本信息:
- 专利标题： 一种晶体管阵列陶瓷封装结构
- 申请号：CN202223332146.5 申请日：2022-12-12
- 公开(公告)号：CN218849485U 公开(公告)日：2023-04-11
- 发明人： 蒋兴彪 , 吴凯丽 , 胡耀文 , 马路遥 , 陆浩宇 , 邓丹 , 李珏
- 申请人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
- 申请人地址： 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
- 专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
- 当前专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
- 当前专利权人地址： 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
- 代理机构： 贵阳中工知识产权代理事务所
- 代理人： 杨成刚
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498 ; H01L23/14 ; H01L23/367 ; H01L23/04
摘要：
一种晶体管阵列陶瓷封装结构，属于半导体器件封装技术领域。包括陶瓷封装底座本体及多个引脚，在陶瓷封装底座本体的上端设有陶瓷封装框体，在陶瓷封装框体内设有多个芯片焊接区和多个引线键合区，芯片焊接区和引线键合区低于陶瓷封装框体的框体边框，芯片焊接区低于引线键合区，芯片焊接区为下沉式多层错落结构，芯片焊接区和引线键合区的表面为金属化层，在陶瓷封装结构中间层采用过孔及埋层工艺形成金属化电路连接，每个引脚与相应的芯片焊接区或引线键合区的金属化层连接。解决了现有技术中先对每个晶体管芯片进行单独塑封，再二次封装到塑料腔体内，造成封装体积大、重量大、可靠性低的问题。广泛用于混合集成电路、半导体功率器件等领域。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/498 | ...引线位于绝缘衬底上的 |