基本信息:
- 专利标题： 一种基于GaN-SiC器件的高频移相全桥软开关DC-DC变换电路
- 申请号：CN202120649543.1 申请日：2021-03-29
- 公开(公告)号：CN214707539U 公开(公告)日：2021-11-12
- 发明人： 邹扬 , 赵隆冬 , 朱晓辉 , 袁宝山 , 徐成宝 , 高东辉
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 申请人地址： 安徽省合肥市高新区合欢路19号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市高新区合欢路19号
- 代理机构： 合肥天明专利事务所
- 代理人： 金凯
- 主分类号： H02M3/335
- IPC分类号： H02M3/335
摘要：
本实用新型公开了DC‑DC变换电路领域的一种基于GaN‑SiC器件的高频移相全桥软开关DC‑DC变换电路，包括次级带中间抽头的功率变压器，功率变压器的初级侧连接有移相全桥软开关电路，次级侧连接有同步整流电路；所述移相全桥软开关电路采用GaN晶体管作为开关管，采用SiC二极管作为箝位二极管。本实用新型将基于GaN/SiC器件的移相全桥软开关电路与同步整流进行结合，采用输入电流峰值反馈控制和GaN晶体管专用驱动电路以及辅助电源设计，实现了高频高效大功率半砖DC‑DC变换器。基于GaN/SiC器件的移相全桥软开关电路，提高了DC‑DC变换器开关频率和功率密度，实现了高效率和小型化的兼顾。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H02 | 发电、变电或配电 |
| ----H02M | 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节 |
| ------H02M3/00 | 直流功率输入变换为直流功率输出 |
| --------H02M3/02 | .没有中间变换为交流的 |
| ----------H02M3/24 | ..用静态变换器的 |
| ------------H02M3/28 | ...应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件产生中间交流电的 |
| --------------H02M3/305 | ....应用需要熄灭装置的闸流管或晶闸管型器件的 |
| ----------------H02M3/335 | .....仅用半导体器件的 |