基本信息:
- 专利标题： 一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管
- 申请号：CN201921703227.7 申请日：2019-10-12
- 公开(公告)号：CN212085012U 公开(公告)日：2020-12-04
- 发明人： 赵德益 , 苏海伟 , 吕海凤 , 王允 , 赵志方 , 叶毓明 , 冯星星 , 李亚文 , 吴青青 , 张利明
- 申请人： 上海维安半导体有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
- 专利权人： 上海维安半导体有限公司
- 当前专利权人： 上海维安半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
- 代理机构： 上海诺衣知识产权代理事务所
- 代理人： 衣然
- 优先权： 201921022274.5 2019.07.01 CN
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L29/87 ; H01L29/06
摘要：
本实用新型提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，所述可控硅包括两个门极，通过金属连接将控硅结构的门极均与阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本实用新型通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利