基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：CN201620733042.0 申请日：2016-07-12
- 公开(公告)号：CN205944071U 公开(公告)日：2017-02-08
- 发明人： 李琼延 , 李泰勇 , 新闵哲 , 欧瑟门
- 申请人： 艾马克科技公司
- 申请人地址： 美国亚利桑那州85284创新圈坦普东路2045号
- 专利权人： 艾马克科技公司
- 当前专利权人： 安靠科技新加坡控股私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市
- 代理机构： 北京寰华知识产权代理有限公司
- 代理人： 林柳岑; 王兴
- 优先权： 15/150,342 2016.05.09 US
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485
摘要：
半导体装置。作为非限制性实例，本实用新型的各种方面提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：衬底，其包含介电层；至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，其形成于所述介电层的一个表面上；和保护层，其覆盖所述至少一个导电迹线和导电凸块衬垫，所述至少一个导电凸块衬垫具有通过所述保护层暴露的一端；和半导体裸片，其电连接到所述衬底的所述导电凸块衬垫。
摘要（英）：
Semiconductor device. As non -limiting instance, the utility model discloses a various aspects provide a semiconductor device, semiconductor device includes: the substrate, it contains the dielectric layer, at least one electrically conductive trace and conductive projection liner, its formed at on the surface of dielectric layer, and the protective layer, its cover at least one electrically conductive trace and conductive projection liner, at least one conductive projection liner have through the one end that the protective layer exposes, and semiconductor die, it is electrically connected to the substrate the conductive projection liner.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |