基本信息:
- 专利标题： 竖直功率部件
- 专利标题（英）：Vertical power part
- 申请号：CN201320314847.8 申请日：2013-05-29
- 公开(公告)号：CN203277390U 公开(公告)日：2013-11-06
- 发明人： S·梅纳德 , G·高蒂尔
- 申请人： 意法半导体(图尔)公司 , 法国国立图尔大学
- 申请人地址： 法国图尔
- 专利权人： 意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
- 当前专利权人： 意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
- 当前专利权人地址： 法国图尔
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 王茂华
- 优先权： 1254987 2012.05.30 FR
- 主分类号： H01L29/74
- IPC分类号： H01L29/74 ; H01L29/06
摘要：
本实用新型公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。
摘要（英）：
The utility model discloses a vertical power part. The vertical power part comprises a silicon substrate of a first conduction type; a second conduction type lower layer on the lower surface side of a support single electrode of the substrate; and a second conduction type upper zone on the upper surface sides of a support conduction electrode and a gate electrode of the substrate. The part peripherals include a porous-silicon insulation ring penetrating the substrate downwards on the lower surface side to a depth larger than the depth of the lower layer.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/74 | ....晶闸管型器件，如具有四区再生作用的 |