基本信息:
- 专利标题： 高性能CMOS电路及其制造方法
- 专利标题（英）：High performance cmos circuits and methods for fabricating the same
- 申请号：CN200610147073.9 申请日：2006-11-14
- 公开(公告)号：CN1992274B 公开(公告)日：2011-11-09
- 发明人： V·纳拉亚南 , T-C·陈 , J·S·纽伯里 , B·B·多里斯 , B·P·林德 , V·K·帕鲁许里 , A·卡勒伽里 , M·L·斯特恩 , M·P·胡齐克 , J·C·阿诺德 , G·A·布莱里 , M·A·格里伯佑 , 金永希
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 于静; 李峥
- 优先权： 11/323,578 2005.12.30 US
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/8238 ; H01L29/78 ; H01L29/49 ; H01L21/336 ; H01L21/28
The present invention relates to complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuits that each contains at least a first and a second gate stacks. The first gate stack is located over a first device region (e.g., an n-FET device region) in a semiconductor substrate and comprises at least, from bottom to top, a gate dielectric layer, a metallic gate conductor, and a silicon-containing gate conductor. The second gate stack is located over a second device region (e.g., a p-FET device region) in the semiconductor substrate and comprises at least, from bottom to top, a gate dielectric layer and a silicon-containing gate conductor. The first and second gate stacks can be formed over the semiconductor substrate in an integrated manner by various methods of the present invention.
公开/授权文献:
- CN1992274A 高性能CMOS电路及其制造方法 公开/授权日：2007-07-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |