基本信息:
- 专利标题： CMOS硅化物金属栅集成
- 专利标题（英）：CMOS silicide metal gate integration
- 申请号：CN200580002708.X 申请日：2005-02-22
- 公开(公告)号：CN1943027A 公开(公告)日：2007-04-04
- 发明人： 里基·S.·艾莫斯 , 黛安·C.·博伊德 , 小西里尔·卡布拉尔 , 理查德·D.·卡普兰 , 贾库伯·T.·克德泽尔斯基 , 顾伯聪 , 李宇萤 , 李瑛 , 安达·C.·莫库塔 , 维嘉·纳拉亚纳 , 安·L.·斯蒂根 , 玛赫斯瓦仁·苏仁德拉
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 李春晖
- 优先权： 10/786,901 2004.02.25 US
- 国际申请： PCT/US2005/005565 2005.02.22
- 国际公布： WO2005/083780 EN 2005.09.09
- 进入国家日期： 2006-07-18
- 主分类号： H01L21/8238
- IPC分类号： H01L21/8238
摘要：
本发明提供了一种互补金属氧化物半导体集成工艺，用于在栅电介质之上制造多个硅化金属栅。使用本发明的集成方案形成的每个硅化金属栅具有相同的硅化物金属相以及基本相同的高度，而不管硅化物金属栅的尺寸如何。本发明还提供了形成具有硅化触点的CMOS结构的多种方法，其中多晶硅栅高度在半导体衬底的整个表面上基本相同。
公开/授权文献:
- CN1943027B CMOS硅化物金属栅集成 公开/授权日：2010-09-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8238 | ........互补场效应晶体管，例如CMOS |