基本信息:
- 专利标题： 半导体发光器件
- 专利标题（英）：Semiconductor light emitting element
- 申请号：CN200580010018.9 申请日：2005-03-24
- 公开(公告)号：CN1938871A 公开(公告)日：2007-03-28
- 发明人： 成塚重弥 , 丸山隆浩 , 森分达也
- 申请人： 住友电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 谷惠敏; 钟强
- 优先权： 096321/2004 2004.03.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2005/005379 2005.03.24
- 国际公布： WO2005/093861 JA 2005.10.06
- 进入国家日期： 2006-09-28
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L21/208
摘要：
获得一种半导体发光器件，包括透明化合物半导体衬底，其晶格常数与发射光的化合物半导体不一致并显示出高光输出。一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n－型AlInGaP层和p－型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长(ELO)形成的ELO层(3)。
摘要（英）：
A semiconductor light emitting element including a transparent compound semiconductor substrate having a lattice constant not coherent with that of a compound semiconductor that projects light. A semiconductor light emitting element (10) is provided with a GaP substrate (1), an active layer (4), which is positioned at an upper part of the GaP substrate (1) and includes an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer (3), which is positioned between the GaP substrate (1) and the active layer (4) and is formed by epitaxial horizontal direction growth.
公开/授权文献:
- CN100570909C 半导体发光器件 公开/授权日：2009-12-16