基本信息:
- 专利标题： 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法
- 专利标题（英）：Sputtering target with few surface defects and method for processing surface thereof
- 申请号：CN200580006773.X 申请日：2005-02-15
- 公开(公告)号：CN1926260A 公开(公告)日：2007-03-07
- 发明人： 中村祐一郎 , 久野晃
- 申请人： 日矿金属株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日矿金属株式会社
- 当前专利权人： 捷客斯金属株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 樊卫民; 郭国清
- 优先权： 055989/2004 2004.03.01 JP
- 国际申请： PCT/JP2005/002209 2005.02.15
- 国际公布： WO2005/083148 JA 2005.09.09
- 进入国家日期： 2006-09-01
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; H01L21/285
摘要：
本发明涉及溅射靶的表面加工方法，其特征为，对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面，先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工。本发明提供可以改善存在大量没有延展性物质的靶表面，防止或抑制溅射时结核或颗粒的产生的溅射靶的表面加工方法。
公开/授权文献:
- CN1926260B 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 公开/授权日：2010-10-06