基本信息:
- 专利标题： 深量子阱电吸收调制器
- 专利标题（英）：Deep quantum well electro-absorption modulator
- 申请号：CN200610105465.9 申请日：2006-06-08
- 公开(公告)号：CN1909312B 公开(公告)日：2011-04-13
- 发明人： D·P·布尔 , A·坦顿 , M·R·T·谭
- 申请人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡市
- 专利权人： 阿瓦戈科技光纤IP(新加坡)股份有限公司
- 当前专利权人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市
- 代理机构： 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 王怡
- 优先权： 11/148467 2005.06.08 US
- 主分类号： H01S5/026
- IPC分类号： H01S5/026 ; H04B10/00
摘要：
通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。
摘要（英）：
Double well structures in electro-absorption modulators are created in quantum well active regions by embedding deep ultra thin quantum wells. The perturbation introduced by the embedded, deep ultra thin quantum well centered within a conventional quantum well lowers the confined energy state for the wavefunction in the surrounding larger well and typically results in the hole and electron distributions being more confined to the center of the conventional quantum well. The extinction ratio provided by the electro-absorption modulator is typically increased.
公开/授权文献:
- CN1909312A 深量子阱电吸收调制器 公开/授权日：2007-02-07