基本信息:
- 专利标题： 纵型栅极半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Vertical gate semiconductor device and process for fabricating the same
- 申请号：CN200480038581.2 申请日：2004-06-08
- 公开(公告)号：CN1898801A 公开(公告)日：2007-01-17
- 发明人： 沟口修二 , 山中光浩 , 郡司浩幸
- 申请人： 松下电器产业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人： 松下半导体解决方案株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 汪惠民
- 优先权： 425128/2003 2003.12.22 JP
- 国际申请： PCT/JP2004/008363 2004.06.08
- 国际公布： WO2005/062386 JA 2005.07.07
- 进入国家日期： 2006-06-22
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78
摘要：
本发明公开了纵型栅极半导体装置及其制造方法。作为晶体管发挥作用的第一区域11，具有：漏极区域111；本体区域112，形成在漏极区域111的上侧；源极区域113A，形成在本体区域112的上侧；以及沟渠，形成在本体区域112且埋入有栅极电极120。在延伸于第二区域12的本体区域112的上侧形成有源极区域113B。
摘要（英）：
A first region 11 functioning as a transistor includes a drain region 111, a body region 112 formed over the drain region 111, a source region 113A formed over the body region 112 and a trench formed through the body region 112 and having a gate electrode 120 buried therein. A source region 113B is formed over the body region 112 extending in a second region 12.
公开/授权文献:
- CN100502036C 纵型栅极半导体装置及其制造方法 公开/授权日：2009-06-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |