基本信息:
- 专利标题： 铁电聚合物层的构图方法
- 专利标题（英）：Method for patterning a ferroelectric polymer layer
- 申请号：CN200480038534.8 申请日：2004-12-07
- 公开(公告)号：CN1898777A 公开(公告)日：2007-01-17
- 发明人： 阿尔贝特·W.·马尔斯曼 , 尼古拉斯·P.·威拉德
- 申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 申请人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人： 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 于辉
- 优先权： 03104886.1 2003.12.22 EP
- 国际申请： PCT/IB2004/052688 2004.12.07
- 国际公布： WO2005/064653 EN 2005.07.14
- 进入国家日期： 2006-06-22
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/312 ; H01L21/311
摘要：
铁电聚合物例如偏二氟乙烯(VDF)和三氟乙烯(TrFE)的共聚物可以通过如下被构图：在基片上用包括光敏交联剂的铁电旋涂溶液旋涂铁电聚合物层，然后透过掩模照射所述铁电聚合物层并除去所述铁电聚合物层的未曝光部分。
公开/授权文献:
- CN100437902C 铁电聚合物层的构图方法 公开/授权日：2008-11-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |