基本信息:
- 专利标题： 常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法
- 专利标题（英）：Nano line cluster of titanium silicide prepared by chemical vapor deposition under normal pressure, and preparation method
- 申请号：CN200610050486.5 申请日：2006-04-24
- 公开(公告)号：CN1872662B 公开(公告)日：2010-05-12
- 发明人： 杜丕一 , 杜军 , 郝鹏 , 黄燕飞 , 翁文剑 , 韩高荣 , 赵高凌 , 沈鸽 , 宋晨路 , 徐刚 , 张溪文
- 申请人： 浙江大学
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人： 浙江大学
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
- 代理机构： 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理人： 林怀禹
- 主分类号： B82B1/00
- IPC分类号： B82B1/00 ; C23C16/42
摘要：
本发明公开了一种常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法。在单根纳米线的一端头部平行生长着多根纳米线构成纳米线簇。该方法采用常压化学气相沉积法，以SiH4和TiCl4为反应物前体，以N2为稀释气体和保护气氛。在玻璃基板上先形成金属硅化物薄膜层，然后在金属硅化物薄膜层上形成高密度的硅化物纳米线簇。该方法对设备要求低，但产量大，效率高。而现有物理气相沉积方法还未制备出金属硅化物纳米线簇；该方法没有使用模板和催化剂，快速大量的生成了单晶的硅化钛纳米线簇；通过对制备条件改变，可得到各种形貌的纳米线簇；通过对制备反应物摩尔比的改变，可得到各种化学组成的纳米线簇。
摘要（英）：
A titanium silicide nanowire cluster prepared by ordinary-pressure CVD method features that multiple nanowires are parallelly grown on one end segment of a nanowire. Its preparing process includes such steps as providing SiH4, TiCl4 and N2 as diluting and protecting gas, generating metallic silicide film layer on glass substrate, and generating high-density silicide nanowire clusters.
公开/授权文献:
- CN1872662A 常压化学气相沉积法制备的硅化钛纳米线簇及其制备方法 公开/授权日：2006-12-06