基本信息:
- 专利标题： 划线期间的保护层
- 专利标题（英）：Protective layer during scribing
- 申请号：CN200480027179.4 申请日：2004-09-29
- 公开(公告)号：CN1856866A 公开(公告)日：2006-11-01
- 发明人： S·沙兰 , T·德邦尼斯
- 申请人： 英特尔公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人： 英特尔公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 李玲
- 优先权： 10/676,303 2003.09.30 US
- 国际申请： PCT/US2004/032458 2004.09.29
- 国际公布： WO2005/034214 EN 2005.04.14
- 进入国家日期： 2006-03-20
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; H01L21/78
A method including forming a chemically soluble coating on a plurality exposed contacts on a surface of a circuit substrate; scribing the surface of the substrate along scribe areas; and after scribing, removing a portion of the coating. A method including forming a circuit structure comprises a plurality of exposed contacts on a surface, a location of the exposed contacts defined by a plurality of scribe streets; forming a coating comprising a chemically soluble material on the exposed contacts; scribing the surface of the substrate along the scribe streets; and after scribing, removing the coating. A method including coating a surface of a circuit substrate comprising a plurality of exposed contacts with a chemically soluble material; scribing the surface of the substrate along scribe areas; removing the coating; and sawing the substrate in the scribe areas.
公开/授权文献:
- CN100468644C 划线期间的保护层 公开/授权日：2009-03-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |