基本信息:
- 专利标题： 用于制造半导体器件的光刻工艺的方法
- 专利标题（英）：System and method for photolithography in semiconductor manufacturing
- 申请号：CN200610074166.3 申请日：2006-04-07
- 公开(公告)号：CN1845009A 公开(公告)日：2006-10-11
- 发明人： 林水典 , 卢欣荣 , 罗益全
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理人： 王玉双; 郑特强
- 优先权： 60/669,524 2005.04.08 US; 11/193,126 2005.07.29 US
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/027
摘要：
一种用于制造半导体器件的光刻工艺的方法。该方法包括如下步骤：定义一光刻掩模的测试临界尺寸目标；测量一掩模临界尺寸；比较掩模临界尺寸和该测试临界尺寸目标，并据以决定一临界尺寸误差；依据该临界尺寸误差决定一光刻光基准能量；以及依据该光刻光基准能量曝光一晶片。
摘要（英）：
A method for photolithography in semiconductor device manufacturing comprises defining test critical dimension target for a photolithography mask, measuring a mask critical dimension, comparing mask critical dimension to the test critical dimension target and determining a critical dimension deviation, determining a photolithography light base energy in response to the critical dimension deviation, and exposing the wafer according to the photolithography light base energy.
公开/授权文献:
- CN100470374C 用于制造半导体器件的光刻工艺的方法 公开/授权日：2009-03-18