基本信息:
- 专利标题： 用于电致发光显示器的氮化铝钝化的荧光体
- 专利标题（英）：Aluminum nitride passivated phosphors for electroluminescent displays
- 申请号：CN200380106894.2 申请日：2003-12-05
- 公开(公告)号：CN1820551B 公开(公告)日：2010-10-06
- 发明人： 刘国
- 申请人： 伊菲雷知识产权公司
- 申请人地址： 加拿大安大略省
- 专利权人： 伊菲雷知识产权公司
- 当前专利权人： 加拿大艾伯塔省
- 当前专利权人地址： 加拿大安大略省
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 黄启行; 谢丽娜
- 优先权： 60/434,639 2002.12.20 US
- 国际申请： PCT/CA2003/001892 2003.12.05
- 国际公布： WO2004/057925 EN 2004.07.08
- 进入国家日期： 2005-06-20
- 主分类号： H05B33/14
- IPC分类号： H05B33/14 ; H05B33/22 ; H05B33/10 ; C09K11/84 ; C09K11/88
摘要：
本发明提供一种新颖的结构，以改善用在交流厚膜介电电致发光显示器内的荧光体的亮度和工作稳定性。该新颖结构包括与荧光膜接触的氮化铝阻挡层，用来避免由于与氧的反应而引起的荧光体的恶化。该阻挡层可以采用与用来沉积和退火荧光膜的工艺相适合的真空沉积工艺进行沉积。本发明特别适用于在采用厚介电层的电致发光显示器内使用的荧光体，在高处理温度下形成并激活荧光膜。
摘要（英）：
A novel structure is provided to improve the luminance and operating stability of phosphors used in ac thick film dielectric electroluminescent displays. The novel structure comprises aluminum nitride barrier layers in contact with the phosphor films to prevent phosphor degradation due to reaction with oxygen. The barrier layers can be deposited using vacuum deposition processes that are compatible with the processes used to deposit and anneal the phosphor films. The invention is particularly applicable to phosphors used in electroluminescent displays that employ thick dielectric layers subject to high processing temperatures to form and activate the phosphor films.
公开/授权文献:
- CN1820551A 用于电致发光显示器的氮化铝钝化荧光体 公开/授权日：2006-08-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05B | 电热；其他类目不包含的电照明 |
| ------H05B33/00 | 电致发光光源 |
| --------H05B33/12 | .实质上有二维辐射表面的光源 |
| ----------H05B33/14 | ..以电致发光材料的化学成分或物理组成或其配置为特征的 |