基本信息:
- 专利标题： 半导体元件及其制程方法
- 专利标题（英）：Semiconductor element and method of manufacture the same
- 申请号：CN200510123786.7 申请日：2005-11-22
- 公开(公告)号：CN1815371A 公开(公告)日：2006-08-09
- 发明人： 何邦庆 , 施仁杰
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
- 代理机构： 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 寿宁; 张华辉
- 优先权： 10/994,500 2004.11.22 US
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; H01L21/027
摘要：
本发明是有关于一种半导体元件及其制程方法，该半导体元件至少包括：一基材；以及一位于基材之上的顶层，该顶层用于一浸润式微影制程中，且有一如小滴流体的混合物，存在于浸润式微影制程中的该混合物有一介于40度及80度间的接触角。该半导体元件的制造方法是在晶圆上施行浸润式微影制程的方法，包括将半导体晶圆置于一透镜之下，及将一流体置于此半导体晶圆的上表面与透镜之间。提供一添加物于在此上表面之上以使任何在此半导体晶圆上表面之上的小滴流体形成一介于40度至80度间的接触角。
公开/授权文献:
- CN1815371B 半导体元件及其制程方法 公开/授权日：2010-09-01