基本信息:
- 专利标题： 位置信息测量方法及装置、和曝光方法及装置
- 专利标题（英）：Position information measuring method and device, and exposure method and system
- 申请号：CN200480014713.8 申请日：2004-05-27
- 公开(公告)号：CN1795536A 公开(公告)日：2006-06-28
- 发明人： 中岛伸一
- 申请人： 株式会社尼康
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社尼康
- 当前专利权人： 株式会社尼康
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 钟强; 关兆辉
- 优先权： 151703/2003 2003.05.28 JP
- 国际申请： PCT/JP2004/007276 2004.05.27
- 国际公布： WO2004/107415 JA 2004.12.09
- 进入国家日期： 2005-11-28
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G01B11/00
摘要：
一种可用散射测量或反射测量简单求取两个标记的相对位置偏差信息的位置信息测量方法。在晶片(W)上以间隔P1预先形成标记(25A)，在其上的中间层(27)上以不同于间距P1的间距P2形成标记(28A)。使检出光(DL)垂直入射晶片(W)，按照波长仅将来自两个标记(25A、28A)的正反射光(22)进行分光后进行光电转换。从获得的检出信号求出各波长的反射率，按照标记(25A、28A)在测量方向(X方向)上的各个位置求出预定波长上的反射率，根据求出的反射率分布求出由两个标记(25A、28A)重合而形成的波纹图形的形状，根据其形状求出标记(28A)的位置偏差量。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |