基本信息:
- 专利标题： CMOS图像传感器及其制造方法
- 专利标题（英）：CMOS image sensor and method for manufacturing the same
- 申请号：CN200510132832.X 申请日：2005-12-22
- 公开(公告)号：CN1794462A 公开(公告)日：2006-06-28
- 发明人： 金尚源
- 申请人： 东部亚南半导体株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： 东部亚南半导体株式会社
- 当前专利权人： 东部亚南半导体株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国首尔
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚
- 优先权： 10－2004－0112028 2004.12.24 KR
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/822
摘要：
本发明公开了一种能够提高光的聚焦能力的CMOS图像传感器及其制造方法。CMOS图像传感器包括多个在平面化层的上部形成的第一微透镜，每个第一微透镜均排列在相应的光电二极管上方，以及在平面化层上形成的多个第二微透镜，多个第二微透镜的每个分别包围相应的第一微透镜。
公开/授权文献:
- CN100474603C CMOS图像传感器及其制造方法 公开/授权日：2009-04-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |