基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及用于形成栅极结构的方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for forming grid structure
- 申请号：CN200510115145.7 申请日：2005-11-10
- 公开(公告)号：CN1790740A 公开(公告)日：2006-06-21
- 发明人： B·H·恩格尔 , S·M·卢卡里尼 , J·D·西尔韦斯特里 , 王允愈
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 于静; 李峥
- 优先权： 10/904,661 2004.11.22 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/40 ; H01L21/336 ; H01L21/28
The present invention provides a semiconducting device including a gate dielectric atop a semiconducting substrate, the semiconducting substrate containing source and drain regions adjacent the gate dielectric; a gate conductor atop the gate dielectric; a conformal dielectric passivation stack positioned on at least the gate conductor sidewalls, the conformal dielectric passivation stack comprising a plurality of conformal dielectric layers, wherein no electrical path extends entirely through the stack; and a contact to the source and drain regions, wherein the discontinuous seam through the conformal dielectric passivation stack substantially eliminates shorting between the contact and the gate conductor. The present invention also provides a method for forming the above-described semiconducting device.
公开/授权文献:
- CN1790740B 半导体器件及用于形成栅极结构的方法 公开/授权日：2012-07-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |