基本信息:
- 专利标题： 半导体存储装置、测试电路和方法
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device, test circuit and test method
- 申请号：CN200510092478.2 申请日：2005-08-23
- 公开(公告)号：CN1755834A 公开(公告)日：2006-04-05
- 发明人： 高桥弘行 , 中川敦 , 解良卓也 , 宫田昌树 , 川口康成 , 后藤浩一
- 申请人： 恩益禧电子股份有限公司
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
- 当前专利权人： 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 穆德骏; 关兆辉
- 优先权： 2004－242347 2004.08.23 JP
- 主分类号： G11C11/401
- IPC分类号： G11C11/401 ; G11C11/406 ; G11C29/00 ; G01R31/28
摘要：
提供一种半导体存储装置，具有在保存数据时需要刷新的存储单元，能够将读/写操作和刷新操作设定成接近的状态，从而能够实现提高测试精度和质量。该半导体存储装置具有控制电路(116、118、121)，在第一模式下，确定在读/写操作之前生成刷新，并总是将延迟设定为第一固定值；在第二模式下，确定在读/写操作之后生成刷新，并总是将延迟设定为第二固定值。
公开/授权文献:
- CN100461296C 半导体存储装置、测试电路和方法 公开/授权日：2009-02-11
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |