基本信息:
- 专利标题： 集成存储装置及方法
- 专利标题（英）：Integrated memory device and process
- 申请号：CN200510091725.7 申请日：2005-08-15
- 公开(公告)号：CN1750170B 公开(公告)日：2013-06-05
- 发明人： R·卡科斯奇克 , T·尼斯奇 , K·施弗 , D·舒姆
- 申请人： 因芬尼昂技术股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 张雪梅; 张志醒
- 优先权： 10/918,335 2004.08.13 US
- 主分类号： G11C11/401
- IPC分类号： G11C11/401 ; G11C11/412 ; H01L27/105 ; H01L21/8239
摘要：
集成存储装置及方法，本案提出一种利用穿隧场效晶体管(TFET)以及埋藏位线的存储装置。该存储装置包括一包含储存单元行以及储存单元列的矩阵，其中，每一个储存单元包含至少一单元晶体管，而该单元晶体管则是依次会包含第一掺杂区域以及第二掺杂区域，其一为一漏极区域，以及另一为一源极区域。再者，该存储装置包括字线，其每一个都连接至一行的储存单元，以及位线，各位线连接至一列的储存单元。此外，该等第一掺杂区域为与该等第二掺杂区域不同的掺杂型态。
公开/授权文献:
- CN1750170A 集成存储装置及方法 公开/授权日：2006-03-22
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |