基本信息:
- 专利标题： 光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）：Chemical amplification type positive resist composition, resist laminated material, resist pattern forming method and method of manufacturing semiconductor device
- 申请号：CN200510106370.4 申请日：2002-06-28
- 公开(公告)号：CN1740911A 公开(公告)日：2006-03-01
- 发明人： 新田和行 , 三村岳由 , 嵨谷聪 , 大久保和喜 , 松海达也
- 申请人： 东京应化工业株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 东京应化工业株式会社
- 当前专利权人： 东京应化工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 王旭
- 优先权： 2001－196069 2001.06.28 JP; 2001－239110 2001.08.07 JP; 2001－316025 2001.10.12 JP; 2001－347737 2001.11.13 JP
- 分案原申请号： 028129725
- 主分类号： G03F7/039
- IPC分类号： G03F7/039 ; G03F7/016 ; G03F7/029 ; G03F7/00
摘要：
本发明提供一种光刻胶组合物，其包括(A)多羟基苯乙烯，其中至少一部分羟基氢原子被可酸离解的溶解抑制基团取代，并且当可酸离解的溶解抑制基团被酸的作用消除时，多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大，和(B)通过使用放射线照射能够产生酸的组分，其中在使用盐酸的离解试验后，组分(A)的可酸离解的溶解抑制基团的保留率为40％或更小，还提供一种含有多羟基苯乙烯的化学放大型阳性光刻胶组合物，所述代替组分(A)的多羟基苯乙烯中至少一部分羟基氢原子被含有直链或支链烷氧基的低级烷氧基－烷基取代，并且当所述低级烷氧基－烷基被酸的作用消除时，多羟基苯乙烯在碱性溶液中的溶解度增大。
公开/授权文献:
- CN100507716C 光刻胶组合物、层压材料、图案形成方法和制造半导体器件的方法 公开/授权日：2009-07-01