基本信息:
- 专利标题： 具内部偏馈射频功率晶体管
- 专利标题（英）：RF power transistor with internal bias feed
- 申请号：CN200380107088.7 申请日：2003-11-24
- 公开(公告)号：CN1732568A 公开(公告)日：2006-02-08
- 发明人： N·V·迪西特 , L·莱顿 , G·C·马 , P·佩鲁古帕里
- 申请人： 因芬尼昂技术股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 因芬尼昂技术股份公司
- 当前专利权人： 科锐
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 张雪梅; 张志醒
- 优先权： 10/324,694 2002.12.19 US
- 国际申请： PCT/EP2003/013191 2003.11.24
- 国际公布： WO2004/057666 EN 2004.07.08
- 进入国家日期： 2005-06-20
- 主分类号： H01L23/66
- IPC分类号： H01L23/66 ; H03F3/60 ; H03F3/193
摘要：
传统宽频射频功率放大器系使用1/4波长传输线将占用印刷电路板相对较大空间之栅极偏压直流源极从栅极电路去耦合，及第二1/4波长传输线将漏极偏压直流源极从漏板电路去耦合。新宽频射频功率放大器不需1/4波长传输线而使用具有用于注入栅极偏压及漏极偏压直流源极之独立终端的晶体管，藉此免除空间并促进更高密度封装。功率放大器晶体管可以单印模电路或并联操作之多印模电路来实施。
公开/授权文献:
- CN100459121C 具内部偏馈射频功率晶体管 公开/授权日：2009-02-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/552 | .防辐射保护装置，例如光 |
| ----------H01L23/64 | ..阻抗装置 |
| ------------H01L23/66 | ...高频匹配器 |