基本信息:
- 专利标题： 半导体存储装置
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device
- 申请号：CN200510073838.4 申请日：2005-05-24
- 公开(公告)号：CN1702869A 公开(公告)日：2005-11-30
- 发明人： 竹村理一郎 , 秋山悟 , 半泽悟 , 关口知纪 , 梶谷一彦
- 申请人： 株式会社日立制作所 , 尔必达存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所,尔必达存储器株式会社
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所,尔必达存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 岳耀锋
- 优先权： 2004－154753 2004.05.25 JP
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; G11C11/34
摘要：
提供一种半导体存储装置，能实现高速工作，或能实现高集成化且高速工作。将晶体管(MT1、MT2)配置在连接存储信息的电容器(CAP)的扩散层区(DIFF(SN))的两侧，将各个晶体管(MT1、MT2)的另一扩散层区(DIFF)连接在同一条位线(BL)上。对存储单元(MC)进行存取时，将两个晶体管(MT1、MT2)激活，进行读出。另外对存储单元(MC)进行写入工作时，用两个晶体管(MT1、MT2)将电荷写入电容器中。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |