基本信息:
- 专利标题： 用于电阻可变存储器的硒化银/硫族化物玻璃叠层
- 专利标题（英）：Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
- 申请号：CN03808878.9 申请日：2003-02-14
- 公开(公告)号：CN1647292A 公开(公告)日：2005-07-27
- 发明人： K·A·坎贝尔 , J·穆尔
- 申请人： 微米技术有限公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 张雪梅; 张志醒
- 优先权： 10/077,867 2002.02.20 US; 10/120,521 2002.04.12 US
- 国际申请： PCT/US2003/004385 2003.02.14
- 国际公布： WO2003/071614 EN 2003.08.28
- 进入国家日期： 2004-10-20
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; G11C11/34 ; H01L27/24
摘要：
本发明涉及用于提供具有改善的数据保持和转换特性的电阻可变存储器元件的方法和装置。根据本发明的一个实施方案，电阻可变存储器元件在玻璃层(17，20)之间设有至少一层银的硒化物层(18)，其中玻璃层中的至少一层是硫族化物玻璃，优选具有GexSe100－x成分。
公开/授权文献:
- CN100483767C 用于电阻可变存储器的银的硒化物/硫族化物玻璃叠层 公开/授权日：2009-04-29