基本信息:
- 专利标题： 低工作电压驱动的电荷泵电路
- 专利标题（英）：Low working voltage driven charge pump circuit
- 申请号：CN200310122664.7 申请日：2003-12-24
- 公开(公告)号：CN1632880A 公开(公告)日：2005-06-29
- 发明人： 李向宏
- 申请人： 上海贝岭股份有限公司
- 申请人地址： 上海市宜山路810号
- 专利权人： 上海贝岭股份有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹集成电路有限责任公司
- 当前专利权人地址： 上海市宜山路810号
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 周成
- 主分类号： G11C16/30
- IPC分类号： G11C16/30
摘要：
本发明公开了一种低工作电压驱动的电荷泵电路，在该电路中，将升压电路中的N个用于整流的MOS管靠近低压输入端的数级MOS管仍采用增强型管，其余后级全部用于整流的MOS管选用耗尽型管。由于衬底偏置效应的作用，耗尽型MOS管在高压时的导通阈值压降很小，可大大降低所需工作电压，提高转换效率，高压产生电路的功耗变小，从而较好地实现了电可编程只读存储器可以在低工作电压情况下工作，解决了多年来一直想要解决而未能解决的问题。
摘要（英）：
This invention discloses a low working voltage driving charge pump circuit, which uses N pieces of increasing voltage circuit as MOS tube of the commute. The MOS tube also uses increasing tube near the low voltage input end and the rest adopts the exhaust tube of the commute. Due to the heat effect of the underlay bias lay, the exhaust MOS tube has a very low conductive valve in high voltage.
公开/授权文献:
- CN100449648C 低工作电压驱动的电荷泵电路 公开/授权日：2009-01-07