基本信息:
- 专利标题： 量子点与量子阱耦合的半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Coupled quantum dot and quantum well semiconductor device and method of making the same
- 申请号：CN02818270.7 申请日：2002-07-31
- 公开(公告)号：CN1555570A 公开(公告)日：2004-12-15
- 发明人： N·小霍隆亚克 , R·杜普依斯
- 申请人： 伊利诺斯州大学管理委员会 , 德克萨斯州系统大学管理委员会
- 申请人地址： 美国伊利诺斯州
- 专利权人： 伊利诺斯州大学管理委员会,德克萨斯州系统大学管理委员会
- 当前专利权人： 伊利诺斯州大学管理委员会,德克萨斯州系统大学管理委员会
- 当前专利权人地址： 美国伊利诺斯州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理人： 戈泊; 程伟
- 优先权： 60/309,149 2001.07.31 US
- 国际申请： PCT/US2002/024379 2002.07.31
- 国际公布： WO2003/012834 EN 2003.02.13
- 进入国家日期： 2004-03-18
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L29/06
摘要：
一种形成半导体器件的方法包括如下步骤：提供多个半导体层；提供用于将信号耦合到所述器件的多层和/或从所述器件的多层耦合信号的装置；提供设置在所述器件的相邻层之间的量子阱；和提供设置在一个所述相邻层中的量子点(825，875)层，且该量子点层与所述量子阱隔开，因此载流子能够以任意方向在所述量子阱和所述量子点之间隧穿。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |